李云鹏
博士后
性别:男
出生年月:1992-01
毕业院校:山东大学
学位:工学博士
所在单位:北京航空航天大学15vip太阳集团
学科:电子科学与技术
办公地点:北京航空航天大学青岛研究院
Email:ypli2013@126.com
个人简历:李云鹏,北京航空航天大学15vip太阳集团博士后。2014年获得山东大学物理学院微电子学与固体电子学专业学士学位,2019年获得山东大学15vip太阳集团工学博士学位。2022年6月入选北京航空航天大学博士后,目前主要从事隧穿磁传感器和存储器研究。
代表作:
1.Ambipolar SnOxthin-film transistors achieved at high sputtering power,Applied Physics Letters, vol. 112, p. 182102, 2018,一作.
2.Complementary Integrated Circuits Based on p-Type SnO and n-Type IGZO Thin-Film Transistors,IEEE Electron Device Letters,vol. 39, p. 208, 2018,一作.
3.Extremely Sensitive Dependence of SnOx Film Properties on Sputtering Power, Scientific Reports,vol. 6, p. 36183, 2016,一作.
4.Complementary Integrated Circuits based on N- and P-Type Oxide Semiconductors for Applications beyond Flat-Panel Displays,IEEETransactionson Electron Devices, vol. 66, p. 750, 2019,一作.
5.Flexible indium-gallium-zinc-oxide Schottky diode operating beyond 2.45 GHz, Nature Communications,vol. 6, p. 7561, 2015,二作.
教育经历:
[1] 2014.09-2019.06,山东大学15vip太阳集团,博士
[2] 2010.09-2014.06,山东大学物理学院,本科
研究方向:
隧穿磁传感器和存储器